特色：EVG ® 6200 NT掩模對(duì)準(zhǔn)器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達(dá)200毫米。

技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG6200 NT以其自動(dòng)化靈活性和可靠性而著稱，可在最小的占位面積上提供了優(yōu)于與其他品牌的掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，并具有最高的產(chǎn)能，優(yōu)良的對(duì)準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件，最短的掩模和工具更換時(shí)間以及高效的*服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)有半自動(dòng)或自動(dòng)配置，并配有集成的振動(dòng)隔離功能，可在廣泛的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的曝光效果，例如薄和厚光刻膠的曝光，深腔和類(lèi)似地形的圖案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半導(dǎo)體）的加工。此外，半自動(dòng)和全自動(dòng)系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。

EVG6200 NT特征：

晶圓/基板尺寸小到200 mm / 8''

系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性

在第一次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180 WPH，在自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140 WPH

易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時(shí)間短

帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償序列

自動(dòng)原點(diǎn)功能，用于對(duì)準(zhǔn)鍵的精確居中

具有實(shí)時(shí)偏移校正功能的動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)功能

支持最新的UV-LED技術(shù)

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)

自動(dòng)化系統(tǒng)上的手動(dòng)基板裝載功能

可以從半自動(dòng)版本升級(jí)到全自動(dòng)版本

最小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）

優(yōu)良的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性

臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版

EVG6200 NT附加功能：

鍵對(duì)準(zhǔn)

紅外對(duì)準(zhǔn)

納米壓印光刻（NIL）

EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù)：

曝光源

汞光源/紫外線LED光源

優(yōu)良的對(duì)準(zhǔn)功能

手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證

自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)

動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)/自動(dòng)邊緣對(duì)準(zhǔn)

對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法

EVG6200 NT產(chǎn)能：

全自動(dòng)：第一批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片

全自動(dòng)：吞吐量對(duì)準(zhǔn)：每小時(shí)140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)200毫米

對(duì)準(zhǔn)方式：

上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5 µm

底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0 µm

紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 µm /具體取決于基板材料

鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0 µm

NIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0 µm

曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)軟件控制

曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光

系統(tǒng)控制

操作系統(tǒng)：Windows

文件共享和備份解決方案/無(wú)限制 程序和參數(shù)

多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR

實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除

工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL

EVG6200 NT/Gen2 掩模對(duì)準(zhǔn)光刻系統(tǒng)是打通研發(fā)小試到規(guī)?；慨a(chǎn)的雙面光刻平臺(tái)，專為MEMS、化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝、功率器件、微納光學(xué)等領(lǐng)域打造，最大支持 200mm（8 英寸）晶圓及碎片基板，可穩(wěn)定處理薄脆、翹曲、異形等特殊基板，兼容硅、玻璃、藍(lán)寶石、碳化硅等多種材料。系統(tǒng)搭載動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn) + 實(shí)時(shí)偏移校正算法，配合全自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償，在真空/硬/軟/接近/ 彎曲全模式曝光下，實(shí)現(xiàn)正面≤±0.5μm、背面≤±1μm 的高精度套刻，保障厚膠、深腔結(jié)構(gòu)與復(fù)雜形貌的圖形轉(zhuǎn)移EV Group。

設(shè)備原生支持 EVG 專屬SmartNIL 納米壓印技術(shù)，一機(jī)覆蓋紫外光刻與 NIL 雙制程，大幅提升設(shè)備利用率與工藝拓展性EV Group。標(biāo)配汞燈與新一代 UV-LED 雙曝光光源，能耗更低、波長(zhǎng)更穩(wěn)、壽命更長(zhǎng)，適配更多光敏壓印材料。全自動(dòng)模式下光刻產(chǎn)能高達(dá) 180WPH、對(duì)準(zhǔn)模式 140WPH，短時(shí)間掩模 / 治具切換、靈活晶圓盒與返工分揀管理，顯著提升產(chǎn)線節(jié)拍、降低總擁有成本。

系統(tǒng)支持半自動(dòng)→全自動(dòng)平滑升級(jí)，兼容 SMIF/FOUP/SECS/GEM 工業(yè)通信標(biāo)準(zhǔn)，可無(wú)縫接入自動(dòng)化產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)研發(fā)成果快速量產(chǎn)轉(zhuǎn)化。集成振動(dòng)隔離結(jié)構(gòu)，搭配防震花崗巖臺(tái)選項(xiàng)，在普通車(chē)間即可穩(wěn)定運(yùn)行；多語(yǔ)言 GUI、遠(yuǎn)程診斷與分級(jí)用戶權(quán)限，兼顧高?？蒲械木?xì)調(diào)控與工廠量產(chǎn)的高效管控，以極小占地面積與優(yōu)異可靠性，成為微納加工領(lǐng)域的理想掩模對(duì)準(zhǔn)裝備EV Group。